A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
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你可能感興趣的試題
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗(yàn)
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤(rùn)滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長(zhǎng)平行,不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線
A、中強(qiáng)鋼絲
B、鋼絞線
C、熱處理鋼筋
D、高強(qiáng)鋼絲
A、3%
B、6%
C、8%
D、10%
A、實(shí)驗(yàn)壓力
B、壓入深度
C、維持時(shí)間
D、壓頭類型
A、折疊
B、裂紋
C、局部顆粒粗大
D、過燒
A、靜載錨固性能
B、疲勞載荷性能
C、周期載荷性能
D、輔助性能
A、產(chǎn)品代號(hào)
B、預(yù)應(yīng)力鋼材直徑
C、預(yù)應(yīng)力鋼材等級(jí)
D、預(yù)應(yīng)力鋼材根數(shù)
A、JYM
B、YJJ
C、YJM
D、BJM
A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()