A、實(shí)驗(yàn)壓力
B、壓入深度
C、維持時(shí)間
D、壓頭類型
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A、折疊
B、裂紋
C、局部顆粒粗大
D、過(guò)燒
A、靜載錨固性能
B、疲勞載荷性能
C、周期載荷性能
D、輔助性能
A、產(chǎn)品代號(hào)
B、預(yù)應(yīng)力鋼材直徑
C、預(yù)應(yīng)力鋼材等級(jí)
D、預(yù)應(yīng)力鋼材根數(shù)
A、JYM
B、YJJ
C、YJM
D、BJM
A、多孔夾片錨具
B、墩頭錨具
C、螺母錨具
D、擠壓錨具
A、錐形錨具
B、墩頭錨具
C、壓花錨具
D、擠壓錨具
A、施工時(shí)使用錨下控制力
B、錨下控制力比錨外控制力小
C、兩者的差是錨頭損失
D、錨外控制力等于油壓值除預(yù)應(yīng)力筋的面積
A、錨具夾持部分鋼筋孔不直
B、構(gòu)件較短
C、預(yù)應(yīng)力筋的護(hù)套破損
D、錨環(huán)和夾頭硬度不夠
A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
最新試題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
下列是晶體的是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。