A、調(diào)質(zhì)
B、淬火+低溫回火
C、滲碳
D、滲碳后淬火+低溫回火
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A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
A、晶粒的相對滑動
B、晶格的扭折
C、位錯的滑移
D、位錯類型的改變
A、增大VK
B、增加淬透性
C、減小其淬透性
D、增大其淬硬性
A.等溫退火
B.完全退火
C.球化退火
D.正火
A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
A、L
B、S
C、J
D、M
A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長平行,不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
最新試題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。