A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷卻速度
D.過冷度
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A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
A.完全退火
B.再結晶退火
C.等溫退火
D.去應力退火
A.不會在恒溫下結晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進行形變強化
D.都能進行時效強化
A.其晶粒形狀會改變
B.其機械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結構。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
PN結的基本特性是()
硅片拋光在原理上不可分為()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。