A.完全退火
B.再結(jié)晶退火
C.等溫退火
D.去應力退火
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A.不會在恒溫下結(jié)晶
B.不會發(fā)生相變
C.都能進行形變強化
D.都能進行時效強化
A.其晶粒形狀會改變
B.其機械性能會發(fā)生改變
C.其晶格類型會發(fā)生改變
D.其晶粒大小會發(fā)生改變
A.約40%
B.約4%
C.約0.4%
D.約0.04%
A.LF21
B.LY11
C.LC6
D.LD10
A.低溫正火
B.高溫正火
C.高溫退火
D.等溫退火
A.高強度
B.高硬度
C.高耐磨性
D.高脆性
A.M+K
B.M+A+K
C.M回+A+K
D.S回+A+K
A.9SiCr
B.CrWMn
C.Cr12MoV
D.5CrMnMo
A.T12
B.9SiCr
C.W18Cr4V
D.YG3
A、20CrMnTi
B、40Cr
C、GCr15
D、Q235
最新試題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
下列是晶體的是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()