問(wèn)答題熱加工對(duì)金屬的組織何性能有何影響?
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2.問(wèn)答題為什么晶粒越細(xì),金屬的強(qiáng)度越高,塑性、韌性就越好?
3.問(wèn)答題為什么單晶體具有各向異性,而多晶體一般情況下不顯示出各向異性?
4.問(wèn)答題生產(chǎn)中細(xì)化晶粒的方法有哪幾種?為什么要細(xì)化晶粒?
5.問(wèn)答題純金屬結(jié)晶時(shí),其冷卻曲線為什么有一段水平線段?
6.問(wèn)答題什么是工藝性能?工藝性能包含哪些內(nèi)容?
7.問(wèn)答題什么是塑性?塑性對(duì)材料的使用有什么實(shí)用意義?
8.名詞解釋ZGMn13
9.名詞解釋W18Cr4V
10.名詞解釋9SiCr
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可用作硅片的研磨材料是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題