問答題純金屬結(jié)晶時(shí)，其冷卻曲線為什么有一段水平線段？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
3.名詞解釋ZGMn13
4.名詞解釋W18Cr4V
5.名詞解釋9SiCr
6.名詞解釋50CrVA
7.名詞解釋1Cr13
8.名詞解釋表面淬火
9.單項(xiàng)選擇題組成合金的最基本獨(dú)立物質(zhì)稱為（）。
A、相
B、組元
C、組織
D、以上答案都對
10.單項(xiàng)選擇題剛在熱加工后形成纖維組織，使剛的性能發(fā)生變化，即沿纖維的方向具有較高的（），沿垂直于纖維的方向具有較高的抗剪強(qiáng)度。
A、抗拉強(qiáng)度
B、抗彎強(qiáng)度
C、抗剪強(qiáng)度
D、以上答案都對
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項(xiàng)選擇題