硅片拋光在原理上不可分為（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；