可用作硅片的研磨材料是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；