A.影像記錄裝置
B.曝光數(shù)據(jù)識(shí)別器
C.薄膜晶體管陣列
D.光電倍增管
E.曝光指示器
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A.1分鐘
B.1小時(shí)
C.8小時(shí)
D.12小時(shí)
E.24小時(shí)
A.100~200nm
B.390~490nm
C.290~390nm
D.200~300nm
E.190~290nm
A.使用高能射線照射
B.使用電流消除殘存電荷
C.使用顯影液、定影液重寫
D.使用清水沖洗
E.使用強(qiáng)光照射消除數(shù)據(jù)
A.IP
B.FPD
C.光電倍增管
D.攝像機(jī)
E.非晶硒
A.電子數(shù)據(jù)
B.圖像
C.聲音
D.視頻信號(hào)
E.醫(yī)學(xué)圖像及其信息
A.電信號(hào)
B.可見光
C.數(shù)字信號(hào)
D.高能射線
E.銀離子
A.Al3+
B.Eu2+
C.Cu2+
D.TI2+
E.Se2+
A.數(shù)字成像
B.成像載體可重復(fù)使用
C.動(dòng)態(tài)成像
D.可進(jìn)行數(shù)字圖像處理
E.可使用普通X線機(jī)球管
A.FPD
B.IP
C.CCD
D.PSL
E.Ⅱ
A.FPD
B.IP
C.CCD
D.PSL
E.Ⅱ
最新試題
直接數(shù)字化X射線攝影采用多少位的圖像數(shù)字化轉(zhuǎn)換()
數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)()
關(guān)于CR攝影系統(tǒng)的影像板,以下說法不正確的是()
CR是利用什么進(jìn)行成像的()
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是()
CR系統(tǒng)用成像板(IP)來接收X線的模擬信息,然后經(jīng)過模/數(shù)轉(zhuǎn)換來實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。存儲(chǔ)在IP上的模擬信息經(jīng)讀取裝置轉(zhuǎn)化為數(shù)字信息。讀取裝置主要由激光閱讀儀、光電倍增管和模/數(shù)轉(zhuǎn)換器組成。IP在X線下受到第一次激發(fā)時(shí)儲(chǔ)存連續(xù)的模擬信息,在激光閱讀儀中進(jìn)行激光掃描時(shí)受到第二次激發(fā),而產(chǎn)生熒光(熒光的強(qiáng)弱與第一次激發(fā)時(shí)的能量精確地成比例,成線性正相關(guān)),該熒光經(jīng)高效光導(dǎo)器采集和導(dǎo)向,進(jìn)入光電倍增管轉(zhuǎn)換為相應(yīng)強(qiáng)弱的電信號(hào),然后進(jìn)行增幅放大、模數(shù)轉(zhuǎn)換成為數(shù)字信號(hào)。讀取裝置使用的能源是()
直接FPD可以由()直接獲得像素位置信息
多絲正比電離室探測(cè)器是()
應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是()
透過被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí),由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì),即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng),負(fù)電子跑向偏壓的正極,正電子跑向偏壓的負(fù)極,于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比,這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元,即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管,在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下,開關(guān)導(dǎo)通,把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大,送到A/D轉(zhuǎn)換器,從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是()