多項(xiàng)選擇題膠片的反差系數(shù)與()有關(guān)系。

A.停影時(shí)間
B.顯影溫度
C.顯影液配方
D.顯影時(shí)間


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1.多項(xiàng)選擇題距離-波幅曲線描述的是某一確定()變化的關(guān)系曲線。

A.反射體回波高度
B.距離
C.缺陷位置
D.缺陷大小

2.多項(xiàng)選擇題應(yīng)用超聲檢測(cè)的距離-波幅曲線可以進(jìn)行()等工作。

A.調(diào)整檢測(cè)靈敏度
B.比較缺陷大小
C.缺陷當(dāng)量
D.根據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)缺陷評(píng)級(jí)

3.多項(xiàng)選擇題表面活性劑分子在油—水界面吸附時(shí),描述正確的有()。

A.非極性基一端親油朝向油中
B.非極性基一端親水朝向水中
C.極性基一端親油朝向油中
D.極性基一端親水朝向水中

4.多項(xiàng)選擇題下列物質(zhì)中屬于后乳化型熒光滲透液組成成分的有()。

A.油基滲透溶劑
B.水基滲透溶劑
C.熒光染料
D.潤(rùn)滑劑

5.多項(xiàng)選擇題檢測(cè)元件檢測(cè)是利用()作為磁場(chǎng)的傳感器。

A.磁帶
B.磁粉
C.霍爾元件
D.磁敏二極管

6.多項(xiàng)選擇題中等靈敏度水洗型熒光滲透液較難從粗糙表面上去除,主要用于()的檢驗(yàn)。

A.精密鑄鋼件
B.精密鑄鋁件
C.各種形狀工件
D.焊接件

7.多項(xiàng)選擇題下列有關(guān)磁化過(guò)程的描述正確的有()。

A.高溫情況下磁體中分子做熱運(yùn)動(dòng)
B.高溫情況下破壞磁疇的有規(guī)則排列
C.高溫情況下磁體的磁性削弱
D.高溫情況下磁體的磁性增強(qiáng)

8.多項(xiàng)選擇題球孔回波聲壓是在()條件下總結(jié)出來(lái)的。

A.球孔直徑非常小
B.超聲波垂直入射球面
C.超聲波全反射
D.超聲波全穿透

9.多項(xiàng)選擇題濕法熒光磁粉在()激發(fā)熒光磁粉,磁粉應(yīng)發(fā)黃綠色的熒光。

A.環(huán)境光不大于20lx 暗區(qū)
B.環(huán)境光不大于1000lx 暗區(qū)
C.輻照度不小于20μW/cm2黑光
D.輻照度不小于1000μW/cm2黑光

10.多項(xiàng)選擇題對(duì)厚度為5~50㎜的鋼,在選用射線源時(shí),應(yīng)考慮的因素有()。

A.現(xiàn)場(chǎng)條件
B.探傷靈敏度
C.工件厚度
D.膠片種類

最新試題

鋼材的熱處理的一般過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)()。

題型:多項(xiàng)選擇題

用半價(jià)層描述的某種能量的射線是指()。

題型:多項(xiàng)選擇題

筒形或環(huán)形鍛件的鍛造工藝是先鐓粗,后沖孔,再滾壓。因此,缺陷的取向比軸類鍛件和餅類鍛件中的缺陷取向復(fù)雜。所以對(duì)這類鍛件一般采用()進(jìn)行檢測(cè)。

題型:多項(xiàng)選擇題

用縱波直探頭確定缺陷平面位置時(shí)需要考慮的問(wèn)題有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

壓電晶體產(chǎn)生的壓電效應(yīng)主要有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

各種電氣設(shè)備都有各自的保護(hù)系統(tǒng),X 射線機(jī)的保護(hù)系統(tǒng)主要有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

磁性成像可分為磁場(chǎng)成像和磁性成像,對(duì)其描述正確的有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

磁化曲線是表征鐵磁性材料磁特性的曲線,用以表示()。

題型:多項(xiàng)選擇題

下列關(guān)于照射場(chǎng)的大小對(duì)散射比的影像的說(shuō)法,錯(cuò)誤的有()。

題型:多項(xiàng)選擇題

表面活性劑分子在水或水溶液表面的吸附近于飽和時(shí),水或水溶液的極性表面在很大程度上就被表面活性劑分子覆蓋,這時(shí)水或水溶液的()。

題型:多項(xiàng)選擇題