問答題硅酸鹽水泥的水化分為幾個(gè)階段?
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題