單項(xiàng)選擇題下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率


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1.單項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）

2.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是（）

A.單向?qū)щ娦?br /> B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性

4.單項(xiàng)選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)

5.單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）

A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法

6.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是（）

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

7.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

8.單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

A.加料--熔化--縮頸生長--等徑生長--放肩生長--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長--放肩生長--等徑生長--收尾
C.加料--熔化--等徑生長-放肩生長--縮頸生長--收尾
D.加料--熔化--等徑生長長--縮頸生長--放肩生長--收尾

9.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

10.多項(xiàng)選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)