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單項(xiàng)選擇題TDRU342E每通道的輸出功率為（）。

A.20W
B.30W
C.40W
D.50W

1.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE基站的高度為（）。

A.1U
B.2U
C.3U
D.4U

2.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū)，最大可支持連接態(tài)用戶數(shù)（）。

A.300
B.900
C.1200
D.3600

3.單項(xiàng)選擇題標(biāo)準(zhǔn)配置3小區(qū)，最大可支持激活態(tài)用戶數(shù)（）。

A.300
B.900
C.1200
D.3600

4.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE最多可以支持多少塊BPOG（）。

A.3
B.4
C.5
D.6

5.單項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)EMB5116 TD-LTE的業(yè)務(wù)和信令交換功能的板卡是（）。

A.BPOE
B.EMx
C.SCTE
D.BPOG

6.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備的傳輸擴(kuò)展單元接口板是（）。

A.SCTE
B.ETPE
C.EMA
D.BPOG

7.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE主設(shè)備的傳輸單元接口板是（）。

A.SCTE
B.ETPE
C.EMA
D.BPOG

8.單項(xiàng)選擇題EMB5116 TD-LTE最大支持（）個宏站載扇。

A.3
B.4
C.5
D.6

9.單項(xiàng)選擇題以下說法錯誤的是（）

A.TD-LTE相比3G具有更低的接入時延
B.TD-LTE采用扁平化的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
C.TD-LTE可以采用同頻組網(wǎng)
D.TD-LTE產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)展嚴(yán)重滯后于FDD-LTE

10.多項(xiàng)選擇題調(diào)度一個用戶可以使用的資源可能是（）。

A、2CCE
B、4CCE
C、8CCE
D、16CCE