A、第三臨界角
B、第一臨界角
C、第二臨界角
D、半擴散角
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A、第二臨界角
B、第一臨界角
C、第三臨界角
D、以上都不對
A、橫波波全反射
B、縱波波全反射
C、表面波全反射
D、以上都不對
A、防止產(chǎn)生雜波
B、使脈沖變窄
C、使盲區(qū)變小
D、以上都是
A、波長短
B、聲束窄
C、能量集中
D、以上都對
A、探測深度大
B、檢測速度快
C、費用低
D、以上都對
A、24°
B、27°
C、37°
D、48°
A、減小
B、增大
C、不變
D、既可增大又可減小
A、氣體
B、液體
C、固體
D、以上都不對
A、波幅增益量
B、缺陷當量尺寸
C、距離
D、以上都不對
A、遠場區(qū)
B、近場區(qū)
C、過渡區(qū)
D、陰影區(qū)
最新試題
采用以()為橫坐標,以平底孔直徑標注各當量曲線作成實用AVG曲線。
渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導率、磁導率、邊條效應、提離效應等。
用于測量黑光強度的現(xiàn)代黑光輻射照度計,其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測量黑光。
渦流檢測線圈的自感式線圈由()構成。
對于長條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構成。
當波束中心線與缺陷面()且回波最()時,移動探頭使波束中心(),回波高度當隨之下降。
各類渦流檢測儀器的工作原理和()是相同的。
在遠場區(qū),當缺陷比聲束截面小時,缺陷波高與缺陷面積成()