A、64%
B、36%
C、20%
D、80%
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A、抑制劑
B、顯影劑
C、加速劑
D、保護(hù)劑
A、亞硫酸鈉
B、溴化鉀
C、菲尼酮
D、碳酸鈉
A、加速顯影作用
B、保護(hù)顯影作用
C、抑制灰霧生成
D、堅膜作用
A、感光度
B、管電流
C、膠片反差系數(shù)
D、以上都對
A、25
B、12.5
C、6.25
D、3.125
A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
A、產(chǎn)生射線照相底片對比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
A、35%~-60%之間
B、60%~90%之間
C、50%~75%之間
D、50%~60%之間
A、產(chǎn)生白色斑點(diǎn)
B、出現(xiàn)樹枝狀的輕微條痕
C、發(fā)生灰霧
D、藥膜脫落
最新試題
用于測量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計,其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測量黑光。
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
掃查方式一般視試件的()而定。
各類渦流檢測儀器的()和結(jié)構(gòu)各不相同。
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
渦流檢測線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()
在遠(yuǎn)場區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時,缺陷波高與缺陷面積成()
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
在聲束垂直試件表面時,所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。