A、水洗型
B、溶劑型
C、后乳化型
D、熒光型
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A、可隨時(shí)關(guān)掉再開
B、不可中途關(guān)掉,應(yīng)待工作告一段落再關(guān)
C、無(wú)需預(yù)熱
D、以上都對(duì)
A、碳鋼槽
B、不銹鋼槽
C、青銅槽
D、塑料槽
A、磁羅盤
B、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)
C、高斯計(jì)
D、以上都對(duì)
A、如果設(shè)備在額定狀態(tài)下工件,其絕緣電阻可以低于1MΩ
B、使用濕法可不用防塵設(shè)備,而干法最好要有防塵設(shè)備
C、球罐探傷時(shí),允許把初級(jí)電源變壓器移到罐內(nèi)
D、以上都不對(duì)
A、磁羅盤
B、場(chǎng)強(qiáng)計(jì)
C、高斯計(jì)
D、以上可以
A、放在線圈的軸線上
B、與線圈的軸線垂直放置
C、貼近線圈內(nèi)側(cè)平行于軸線
D、以上都對(duì)
A、直流電
B、單相全波整流電
C、交流電
D、三相全波整流電
A、濕法直流磁化
B、濕法交流磁化
C、干法直流磁化
D、干法交流磁化
A、連續(xù)法
B、濕法
C、剩磁法
D、干法
A、試件溫度高時(shí),干法比濕法好
B、干法是以空氣為媒質(zhì)施加磁粉的方法
C、在檢出近表面內(nèi)部缺陷的場(chǎng)合,干法比濕法更適用
D、以上都對(duì)
最新試題
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
采用以()為橫坐標(biāo),以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來(lái)表示缺陷的()
磁性測(cè)厚技術(shù)包括機(jī)械式和()兩種測(cè)量方法。
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束(),保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。