單項(xiàng)選擇題層壓組件時(shí)一般需要的時(shí)間為()。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘


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3.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅,在生產(chǎn)過程中不需要控制()。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長(zhǎng)速度
D.合成時(shí)加入少量的催化劑,可降低溫度

4.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是()。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法

6.單項(xiàng)選擇題電池片表面的鍍膜厚度是利用光學(xué)中的()原理來減少反射。

A.相長(zhǎng)干涉
B.折射
C.相消干涉
D.光的衍射

7.單項(xiàng)選擇題單晶硅光伏電池表面的絨面結(jié)構(gòu)呈()。

A.三角形
B.圓形
C.倒金字塔形
D.正方形

8.單項(xiàng)選擇題刻蝕工藝會(huì)影響光伏池片電學(xué)參數(shù)中的()。

A.開路電壓
B.并聯(lián)電阻
C.短路電流
D.串聯(lián)電阻

9.單項(xiàng)選擇題下列方程式中屬于二氧化硅刻蝕工藝的是()。

A.4HF+Si=SiF4+2H2
B.CF4+SiO2——→SiF4+CO2
C.CF4+SiO2+O2——→SiF4+CO2
D.SiO2+4HF——→SiF4+2H2O

10.單項(xiàng)選擇題磷硅玻璃的主要組成是()和()。

A.P,Si
B.P2O5,Si
C.P2O5,O2
D.P,SiO2

最新試題

如果用預(yù)置數(shù)法實(shí)現(xiàn)3秒倒計(jì)時(shí),74LS192預(yù)置數(shù)端輸入應(yīng)該是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

集成運(yùn)放在信號(hào)運(yùn)算中的應(yīng)用電路有()

題型:多項(xiàng)選擇題

平衡電阻是保證了集成運(yùn)放兩個(gè)輸入端,靜態(tài)時(shí)外接電阻相等。

題型:判斷題

從000一直到100這五個(gè)狀態(tài)是循環(huán)的,而且每來一個(gè)脈沖它就加一,很顯然它是一個(gè)()加法計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

3位二進(jìn)制加法計(jì)數(shù)器的,計(jì)數(shù)長(zhǎng)度為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下面哪個(gè)集成元件為四位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

異步計(jì)數(shù)器的計(jì)數(shù)脈沖加到了最低位觸發(fā)器,而其它各位觸發(fā)器都是,依靠相鄰低位觸發(fā)器輸出的進(jìn)位脈沖,采用逐級(jí)傳遞方式進(jìn)行觸發(fā)。

題型:判斷題

現(xiàn)有58個(gè)信息等待用二進(jìn)制代碼進(jìn)行編碼,需要用8位二進(jìn)制代碼來表示。

題型:判斷題

反相比例運(yùn)算,放大倍數(shù)為5,輸入0.2v,輸出為()v。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

9個(gè)JK觸發(fā)器,通過電路設(shè)計(jì),可以接成()進(jìn)制以內(nèi)的,任意進(jìn)制的計(jì)數(shù)器。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題