單項(xiàng)選擇題制作太陽電池的工藝中不包括下列哪個方面（）。

A.硅片表面準(zhǔn)備
B.制備防透膜
C.去背結(jié)
D.制結(jié)


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1.單項(xiàng)選擇題下列不是硅片主要切片方法的是（）。

A.外圓切割
B.內(nèi)圓切割
C.多線切割
D.單線切割

2.單項(xiàng)選擇題下面是直拉法生產(chǎn)單晶硅工藝流程圖正確順序的是（）。

A.種晶—放肩—等徑—引晶
B.引晶—放肩—等徑—種晶
C.種晶—引晶—放肩—等徑
D.引晶—種晶—放肩—等徑

3.單項(xiàng)選擇題以下省份中，年平均日照射強(qiáng)度最高省份是（）。

A.寧夏
B.河南
C.江蘇
D.海南

4.單項(xiàng)選擇題下面哪一項(xiàng)不屬于SiHCl3的提純的方法是（）。

A.橫拉法
B.固體吸附法
C.精餾法
D.絡(luò)合物形成法

5.單項(xiàng)選擇題層壓組件時一般需要的時間為（）。

A.8分鐘
B.15分鐘
C.30分鐘
D.60分鐘

8.單項(xiàng)選擇題SiHCl3還原法制備晶體硅，在生產(chǎn)過程中不需要控制（）。

A.反應(yīng)溫度在280℃~300℃之間
B.硅粉與HCl在進(jìn)入反應(yīng)爐前要充分干燥
C.晶體生長速度
D.合成時加入少量的催化劑，可降低溫度

9.單項(xiàng)選擇題下面不是制造非晶硅太陽電池常用的方法是（）。

A.輝光放電法
B.反應(yīng)濺射法
C.化學(xué)氣相沉積法
D.電鍍法