多項選擇題MCT是一種新型電力電子器件，具有以下特點（）。

A.通態(tài)壓降小，約為1.1V，僅是IGBT通態(tài)壓降的三分之一
B.開關(guān)速度快
C.工作溫度高
D.即使關(guān)斷失敗也不會損害器件


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1.多項選擇題使用功率MOSFET時要注意（）。

A.防止靜電擊穿
B.防止二次擊穿
C.MOSFET不能承受反壓
D.柵源過電壓保護(hù)

2.多項選擇題功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求是（）。

A.驅(qū)動信號的前后沿陡峭
B.驅(qū)動信號的電壓應(yīng)高于開啟電壓
C.信號電壓應(yīng)低于柵源擊穿電壓
D.截止時應(yīng)加小于柵源擊穿電壓的電壓

3.多項選擇題LEM模塊是快速過電流保護(hù)的理想器件，具有（）優(yōu)點。

A.直接測量原邊大電流，反應(yīng)快
B.可測量交流、直流和脈沖電流
C.與被測線路隔離
D.響應(yīng)速度快

4.多項選擇題功率晶體管的浪涌電壓吸收有（）形式。

A.RC吸收電路
B.RCL吸收電路
C.充放電RCD吸收電路
D.放電阻斷RCD吸收電路

5.多項選擇題以下集成電路（）是GTR的專用集成電路。

A.HL201A/HL202A
B.IR2110、IR2115、IR2130
C.EXB35N系列
D.FA5310、FA5311

6.多項選擇題大功率晶體管GTR過電流保護(hù)有（）方式。

A.狀態(tài)識別保護(hù)法
B.RCD吸收保護(hù)法
C.LEM模塊保護(hù)法
D.橋臂互鎖保護(hù)法

7.多項選擇題關(guān)于二次擊穿，以下說法正確的是（）。

A.大功率晶體管GTR不會發(fā)生二次擊穿
B.功率MOSFET不會發(fā)生二次擊穿
C.二次擊穿可能使器件永久性損壞
D.二次擊穿的過程很短暫

8.多項選擇題可關(guān)斷晶閘管GTO的門極電路由（）組成。

A.門極開通電路
B.門極關(guān)斷電路
C.門極反偏電路
D.RCD吸收電路

9.多項選擇題根據(jù)控制信號的不同性質(zhì)，電力電子器件可分為（）。

A.電阻型
B.電感型
C.電流型
D.電壓型

10.多項選擇題按載流子參與導(dǎo)電的情況，電力電子器件可分為（）。

A.單極型
B.雙極型
C.多極型
D.混合型