A.放大區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.發(fā)射區(qū)
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A.電源
B.負(fù)載
C.驅(qū)動(dòng)電路
D.下拉電阻
A.飽和區(qū)
B.轉(zhuǎn)折區(qū)
C.線性區(qū)
D.截止區(qū)
A.輸入級(jí)
B.放大級(jí)
C.中間級(jí)
D.輸出級(jí)
A.與非邏輯功能
B.與邏輯功能
C.提高電路的開關(guān)速度
D.降低電路的開關(guān)速度
A.設(shè)計(jì)合理的外電路(抗飽和電路)
B.加大UBE
C.選擇開關(guān)時(shí)間較小的管子
D.減小UBE
A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017
A.集電極開路
B.三態(tài)門輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出
A.與門
B.與非門
C.非門
D.或門
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)
最新試題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
電可擦除的PROM器件是()
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
什么是觸發(fā)器的空翻現(xiàn)象,如何避免空翻?
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。