單項選擇題7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.電
C.紫外線
D.融斷器
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1.單項選擇題用1M×4的DRAM芯片通過（）擴展可以獲得4M×8的存儲器。
A.位
B.字
C.復(fù)合
D.位或字
2.單項選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
A.2n
B.22n
C.＞22n
D.＜2n
3.單項選擇題如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，要求輸入每變化20mV，輸出信號的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
4.單項選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時間
D.加法器
7.單項選擇題若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電，（）中的信息能夠保持不變。
A.RAM
B.COMP
C.ROM
D.MUX
8.單項選擇題ROM可以用來存儲程序、表格和大量固定數(shù)據(jù)，但它不可以用來實現(xiàn)（）。
A.代碼轉(zhuǎn)換
B.邏輯函數(shù)
C.乘法運算
D.計數(shù)器
9.單項選擇題電可擦除的PROM器件是（）
A.EPROM
B.E2PROM
C.PLA
D.PAL
10.單項選擇題采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
A.不
B.紫外線
C.電
D.高壓電
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雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路？請說明理由。
題型：問答題
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與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了（）對轉(zhuǎn)換精度的影響。
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一個VHDL模塊是否必須有一個實體和一個結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個實體和結(jié)構(gòu)體？簡述它們的作用。
題型：問答題
7系列EPROM存儲的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
題型：單項選擇題