單項選擇題接受刺激發(fā)生興奮，使細胞原有電位消失，在膜的內外側發(fā)生電位變化膜電位稱為動作電位，通常情況下（）。

A.動作電位的傳導不需要K+
B.細胞膜外電位為負
C.細胞膜內電位為正
D.以局部電流的方式由遠及近傳導
E.電位傳導方向是雙向的


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1.單項選擇題以下不屬于復雜神經環(huán)路的是（）。

A.三突觸結構
B.海馬內環(huán)路
C.邊緣系統(tǒng)環(huán)路
D.丘腦—皮質環(huán)路
E.杏仁體神經環(huán)路

2.單項選擇題以下對于偽差的識別的描述正確的是（）。

A.呼吸可以產生明顯的電位變化，從而產生偽差。
B.眼球運動時不會引起一定的電位差
C.面部抽搐會引起肌電偽差
D.吞咽時，不會產生肌電爆發(fā)。
E.睜眼狀態(tài)下不會產生肌電活動，閉眼會產生肌電活動。

3.單項選擇題有利于腦力恢復的睡眠是（）。

A.REM
B.NREM
C.中度睡眠期
D.深度睡眠期
E.慢波睡眠

4.單項選擇題不會產生腦電活動的是（）。

A.突觸后電位
B.神經元的內源性爆發(fā)電位
C.神經元之間的縫隙連接
D.電突觸
E.軸突

5.單項選擇題不屬于丘腦皮層系統(tǒng)特性的是（）。

A.丘腦是產生腦電活動節(jié)律的主要部位
B.新皮層主要產生腦電活動的電壓和電場
C.丘腦神經元被激活的電位一般在-60mV
D.在覺醒狀態(tài)丘腦神經元處于超級化狀態(tài)
E.在睡眠狀態(tài)，丘腦神經元一爆發(fā)點燃的模式活動。

6.單項選擇題不屬于EEG的操作安全規(guī)則的是（）。

A.維護儀器，避免電路損壞。
B.避免單點接地
C.使用帶光電隔離的插線盒
D.使用三相插座
E.使用合格的保險絲

7.單項選擇題網(wǎng)狀結構的主要位置在（）。

A.大腦半球
B.殼核
C.腦干
D.小腦
E.脊髓

8.單項選擇題腦內興奮性遞質包括（）。

A.谷氨酸和門冬氨酸
B.谷氨酸和γ－氨基丁酸
C.門冬氨酸和甘氨酸
D.甘氨酸和γ－氨基丁酸
E.谷氨酸和甘氨酸

9.單項選擇題國際10～20系統(tǒng)的電極位置，正確的是（）。

A.O2與枕外粗隆的間距為20％
B.雙耳前凹連線距左耳前凹10％處為T4電極位置
C.從鼻根向后20％處為FPz位置
D.從FP2位置向左10％為Fp1，F(xiàn)p1向后每個電極間距為20％
E.01與02間距為10％

10.單項選擇題關于癲癇樣放電產生的敘述，錯誤的是（）。

A.神經元之間可形成環(huán)路，對癲癇樣放電的產生起重要作用
B.興奮性神經遞質可增加神經元的興奮性
C.單個巨大神經元的異常動作電位足以形成腦電圖上可記錄到的癲癇樣放電
D.去極化漂移（PDS）是癲癇樣放電的基礎
E.腦內多種病理性因素可導致細胞內外離子分布異常，使神經元興奮性異常增高