單項選擇題下列哪兩種性質(zhì)是組成半導體探測器的關鍵?()
A.高的電阻率,短的載流子壽命
B.高的電阻率,長的載流子壽命
C.低的電阻率,長的載流子壽命
D.低的電阻率,短的載流子壽命
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1.單項選擇題摻雜下列哪種元素的雜質(zhì)半導體是屬于間隙型的?()
A.Li
B.B
C.P
D.Al
2.單項選擇題與氣體探測器相比,下列哪一項不是半導體探測器的優(yōu)點?()
A.能量分辨率好
B.對γ射線的探測效率高
C.結構緊湊
D.不易受射線損傷
3.單項選擇題下列哪項不是閃爍探測器必備的構成部分?()
A.光電倍增器件
B.組分恒定的氣體環(huán)境
C.閃爍體
D.前置放大器
4.單項選擇題閃爍探測器的特點不包括下面哪項?()
A.探測效率高
B.時間特性好
C.用途廣泛,閃爍體選擇多
D.適合于測量帶電粒子,不適合測量不帶電粒子
5.單項選擇題處于電流脈沖型工作狀態(tài)的閃爍探測器,其輸出脈沖幅度與下列哪個參數(shù)無關?()
A.陽極收集的總電荷量
B.閃爍體的發(fā)光衰減時間常數(shù)
C.輸出回路等效電容
D.輸出回路等效電阻
6.單項選擇題單晶閃爍譜儀中閃爍體的尺寸變大時,其峰總比和峰源效率將如何變化?()
A.峰總比變大,峰源效率變大
B.峰總比變大,峰源效率變小
C.峰總比變小,峰源效率變大
D.峰總比變小,峰源效率變小
7.單項選擇題某閃爍探測器的閃爍體發(fā)光衰減時間常數(shù)為0.68μs,輸出回路的時間常數(shù)為10μs,每秒被閃爍體探測到的粒子數(shù)為10000個,則該探測器處于哪種工作狀態(tài)?()
A.電流型
B.累計型
C.電壓脈沖型
D.電流脈沖型
8.單項選擇題下列哪種因素對單晶閃爍譜儀的γ射線探測效率沒有影響?()
A.閃爍體的組成元素
B.閃爍體的密度
C.閃爍體的厚度
D.打拿極的倍增系數(shù)
9.單項選擇題單晶閃爍譜儀的哪個性能參數(shù)描述了單位能量輸出幅度與入射粒子能量的關系?()
A.響應函數(shù)
B.能量分辨率
C.能量線性
D.源峰效率
10.單項選擇題單晶閃爍譜儀的分辨時間與下列哪個因素無關?()
A.閃爍體的發(fā)光衰減時間常數(shù)
B.光電倍增管的電子飛行時間
C.輸出回路的等效電阻
D.輸出回路的等效電容