單項選擇題軔致輻射對γ能譜的影響，描述錯誤的是（）。

A.軔致輻射計數集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當β射線強度大，能量高，而γ射線強度低時，軔致輻射影響更顯著


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1.單項選擇題測量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個明顯的峰，對于這些計數的分析正確的是（）。

A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯了，應該把這些計數去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個10keV的計數合成為了一個20keV的計數
C.這個峰大部分計數的來源應該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度，這個峰的計數應該會升高

2.單項選擇題下列對γ能譜的描述，錯誤的是（）。

A.反符合技術可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰

3.單項選擇題下列對真偶符合比的描述正確的是（）。

A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大

4.單項選擇題對偶然符合描述正確的是（）。

A.偶然符合在低計數率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時發(fā)生且相關
C.偶然的情況下同時到達符合電路的非關聯(lián)事件引起的符合
D.不相關的事件都可以認為屬于偶然符合

5.單項選擇題下列關于符合曲線描述錯誤的是（）。

A.符合曲線是指延遲關系變化時，符合計數率的變化曲線
B.信號的時間離散對符合曲線有影響
C.理想的電子學瞬時符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合，快符合的符合曲線寬度主要由電子學分辨時間決定

6.單項選擇題關于延遲符合，下列描述錯誤的是（）。

A.延遲符合改變了相關事件發(fā)生的物理過程
B.延遲符合的順利實現(xiàn)需要對相關事件的物理過程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過電子學系統(tǒng)實現(xiàn)的
D.相關事件不同時時，一般可以考慮利用延遲符合技術

7.單項選擇題下列關于反符合的描述正確的是（）。

A.反符合電路利用“或”門來實現(xiàn)
B.反符合中的兩個事件必須是完全無關的
C.反符合的功能可以利用多個探測器實現(xiàn)
D.反符合與符合在電路設計、探測器信號連接上都完全不同

8.單項選擇題下列關于真符合的描述錯誤的是（）。

A.這兩個或多個事件的發(fā)生是完全相關的
B.符合分辨時間是為方便電子學實現(xiàn)而引入的，真符合的事件必定發(fā)生在同一時刻
C.真符合中的兩個事件發(fā)生的時刻可以是近似同時
D.符合電路利用“與”門來實現(xiàn)

9.單項選擇題關于符合的描述，下列說法正確的是（）。

A.符合事件指的是同時發(fā)生的兩個或多個事件
B.同時發(fā)生的兩個事件若沒有因果關系，不能算符合
C.同時指的是同一時刻，而不是一個時間段內，所以實際中的符合非常少見
D.符合可以用在粒子甄別上，但是反符合不行

10.單項選擇題對于β射線活度測量的諸多修正的描述錯誤的是（）。

A.坪斜修正可以降低工作電壓偏高對結果的影響
B.高Z材料會加強反散射效果，所以要用低Z材料做源托
C.β射線在介質中的被吸收規(guī)律近似服從指數規(guī)律
D.β射線穿透力強于α粒子，故而不需要考慮源的自吸收問題