A、1%
B、2%
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A、1%
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D、0.5%
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A、1%
B、2%
C、0.1%
D、0.5%
A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1~3kN/s
B、10~30kN/s
C、1~30kN/s
D、3~10kN/s
A、1~3mm
B、1~5mm
C、3~5mm
D、5~8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、(20±3)℃.(60±20)%
B、(20±3).℃90%以上
C、(20±1)℃.(60±20)%
D、(20±1)℃.90%以上
A、1
B、2
C、3
D、4
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。