A、施主態(tài)
B、受主態(tài)
C、電中性
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A、EA,
B、ED,
C、EF,
D、Ei
A、漂移
B、隧道
C、擴(kuò)散
A.改變禁帶寬度;
B.產(chǎn)生復(fù)合中心;
C.產(chǎn)生空穴陷阱;
D.產(chǎn)生等電子陷阱。
A.非本征
B.本征
A.1/4;
B.1/e;
C.1/e2;
D.1/2
A.①②④
B.②④⑤
C.①②④⑤
D.①②③④⑤
A.減小,減小
B.減小,增大
C.增大,增大
D.增大,減小
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。