A、粉煤灰
B、生石灰(或電石渣)
C、水泥
D、硅灰
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A、MU10
B、MU15
C、MU20
D、MU25
A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
A、測溫試件就是凍融試驗(yàn)試件
B、測溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗(yàn)試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強(qiáng)度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長度宜為500mm
A、砼動(dòng)彈性模量測定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過快凍法來測定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過慢凍法來測定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過25%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來確定
A、3個(gè)試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過1%時(shí),取中間值作為測定值
C、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí),取中間值作為測定值
D、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測值中2個(gè)極值均與中間值之差超過1%時(shí),試驗(yàn)結(jié)果無效
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()