A、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得少于冷凍時(shí)間的1/2
B、每塊試件從3℃降至-16℃所用時(shí)間不得大于冷凍時(shí)間的1/4
C、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得少于融化時(shí)間的1/2
D、每塊試件從-16℃升至3℃所用時(shí)間不得大于融化時(shí)間的1/4
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A、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(18±2)℃
B、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-18±2)℃和(5±2)℃
C、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-5±2)℃和(18±2)℃
D、試件中心最低和最高溫度應(yīng)分別控制在(-20±2)℃和(20±2)℃
A、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
B、每次凍融循環(huán)應(yīng)在(2~4)h內(nèi)完成,且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
C、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/2
D、每次凍融循環(huán)時(shí)間為8h內(nèi),且用于融化的時(shí)間不得少于整個(gè)凍融循環(huán)時(shí)間的1/4
A、測(cè)溫試件就是凍融試驗(yàn)試件
B、測(cè)溫試件應(yīng)采用防凍液作為凍融介質(zhì)
C、測(cè)溫試件應(yīng)采用純凈水作為凍融介質(zhì)
D、測(cè)溫試件所用砼的抗凍性能應(yīng)高于凍融試驗(yàn)試件
A、宜采用具有彈性的橡膠材料制作
B、宜采用具有高強(qiáng)度和硬度的鋼板制作
C、截面尺寸宜為115×115mm
D、長(zhǎng)度宜為500mm
A、砼動(dòng)彈性模量測(cè)定儀
B、快速凍融裝置
C、溫度傳感器
D、砼回彈儀
A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)快凍法來(lái)測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)慢凍法來(lái)測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過(guò)25%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
A、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)快凍法來(lái)測(cè)定的
B、砼抗凍標(biāo)號(hào)是通過(guò)慢凍法來(lái)測(cè)定的
C、砼抗凍標(biāo)號(hào)以抗壓強(qiáng)度損失率不超過(guò)25%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
D、砼抗凍標(biāo)號(hào)以相對(duì)動(dòng)彈性模量下降至不低于60%或質(zhì)量損失率不超過(guò)5%的最大凍融循環(huán)次數(shù)來(lái)確定
A、3個(gè)試件的測(cè)值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計(jì)算與結(jié)果確定
B、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值與中間值之差超過(guò)1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
C、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí),取中間值作為測(cè)定值
D、按選項(xiàng)A處理后,當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均與中間值之差超過(guò)1%時(shí),試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí),取其余2個(gè)測(cè)值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測(cè)定值
B、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中有1個(gè)且僅有1個(gè)極值超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
C、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí),取中間值為強(qiáng)度測(cè)定值
D、當(dāng)3個(gè)試件的測(cè)值中2個(gè)極值均超過(guò)中間值的15%時(shí),強(qiáng)度試驗(yàn)結(jié)果無(wú)效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對(duì)動(dòng)彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
最新試題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
PN結(jié)的基本特性是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。