A、(100±1)mm×(100±1)mm
B、(100±2)mm×(100±2)mm
C、(50±2)mm×(50±2)mm
D、(50±1)mm×(50±1)mm
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A、距邊緣100mm以上
B、距邊緣20mm以上
C、距邊緣50mm以上
D、距邊緣80mm以上
A、取中值作為結果
B、取最小值作為結果
C、取最大值作為結果
D、取平均值作為結果
A、在(23±2)℃下放置不少于24h
B、拉伸速度50mm/min
C、夾具夾持寬度不小于75mm
D、上下夾具間距離為130mm。
A、試件任一端涂蓋層不應與胎基發(fā)生位移
B、試件下端的涂蓋層不應超過胎基
C、試件無流淌、滴落、集中性氣泡
D、至少兩個試件符合要求可判定為合格
A、GB23441-2009中PYⅠ型
B、GB/T23457-2009中P類卷材
C、18242-2008中G類卷材
D、高分子卷材中FS2類片材
A、斷裂拉伸強度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強度精確到1N/cm
C、扯斷伸長率精確到1%
D、扯斷伸長率精確到0.1%
A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標≥800N/50mm
B、最大拉力時伸長率指標≥40%
C、耐熱性指標為70℃,2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標為-25℃,無裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
最新試題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
載流子的擴散運動產生擴散電流,漂移運動產生()電流。
改良西門子法的顯著特點不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現()。
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱()