A、內(nèi)縮量測(cè)量分為直接測(cè)量方式和間接測(cè)量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過測(cè)量預(yù)應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
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A、總應(yīng)變測(cè)量若采用量具標(biāo)距的方式,標(biāo)距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,總長度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無裂縫,下表面試件五個(gè)均無裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件均無裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫,下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG,Ⅰ,3.0mm
B.APPPY,Ⅰ,4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET,Ⅱ,1.5mm
D.濕鋪防水卷材P,Ⅰ,1.5mm
A.SBSGⅠ3.0mm
B.APPPYⅠ4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅡ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PEⅠ1.5mm
A.JF1
B.FS2
C.JL1
D.FF
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()