單項選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低


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1.多項選擇題鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯位
C.鈍化電活性雜質(zhì)

2.單項選擇題鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長過程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應引入的氧
D.外界空氣的進入

3.單項選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布

4.單項選擇題改良西門子法的顯著特點不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定

6.單項選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

7.單項選擇題那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

8.單項選擇題下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長

9.單項選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

A、低于
B、等于或大于
C、大于
D、小于或等于

10.單項選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

A、位錯
B、層錯
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯