A、實(shí)驗(yàn)應(yīng)在1小時(shí)內(nèi)做完
B、試驗(yàn)段長度應(yīng)為2米
C、實(shí)驗(yàn)前應(yīng)做硬度試驗(yàn)
D、最終的總應(yīng)變越小越好
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A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
A、焊接預(yù)應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預(yù)應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進(jìn)行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗(yàn)
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗(yàn)
D、張拉錨固工藝試驗(yàn)
A、內(nèi)縮量
B、總應(yīng)變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗(yàn)應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、測量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實(shí)驗(yàn)結(jié)果為3組平行實(shí)驗(yàn)的平均值
A、內(nèi)縮量測量分為直接測量方式和間接測量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過測量預(yù)應(yīng)力筋錨固過程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
A、總應(yīng)變測量若采用量具標(biāo)距的方式,標(biāo)距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()