A、晶內偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網狀滲碳體
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A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
A、形成了高密度位錯
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
A、正火
B、調質
C、退火
D、淬火+中溫回火
A、淬火+低溫回火
B、調質+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再結晶退火
D、等溫退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數,它與()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
在通常情況下,GaN呈()型結構。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。