A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
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A、鋁基軸承合金
B、鉛基軸承合金
C、銅基軸承合金
D、鋅基軸承合金
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
A、Q235
B、45
C、60Si2Mn
D、T12
A、0.02%
B、0.77%
C、2.11%
D、4.3%
A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
A、淬火+低溫回火
B、滲碳后淬火+低溫回火
C、調(diào)質(zhì)后表面淬火
D、正火
A、低碳低合金鋼
B、中碳低合金鋼
C、高碳低合金鋼
D、低碳中合金鋼
A、調(diào)質(zhì)
B、淬火+低溫回火
C、滲碳
D、滲碳后淬火+低溫回火
A、Acl+30—50C
B、Ac3+30—50C
C、Accm+30—50C
D、T再+30—50C
A、強(qiáng)度硬度下降,塑性韌性提高
B、強(qiáng)度硬度提高,塑性韌性下降
C、強(qiáng)度韌性提高,塑性韌性下降
D、強(qiáng)度韌性下降,塑性硬度提高
最新試題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
可用作硅片的研磨材料是()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()