A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
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A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
A、完全退火
B、球化退火
C、再結(jié)晶退火
D、等溫退火
A、F+G
B、F+P+G
C、P+G
D、Ld+G
A、鋁基軸承合金
B、鉛基軸承合金
C、銅基軸承合金
D、鋅基軸承合金
A、L+α→β
B、L→α+β
C、γ→α+β
D、α+β→γ
A、Q235
B、45
C、60Si2Mn
D、T12
A、0.02%
B、0.77%
C、2.11%
D、4.3%
A、0.0008%
B、0.021%
C、0.77%
D、2.11%
A、淬火+低溫回火
B、滲碳后淬火+低溫回火
C、調(diào)質(zhì)后表面淬火
D、正火
A、低碳低合金鋼
B、中碳低合金鋼
C、高碳低合金鋼
D、低碳中合金鋼
最新試題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法