A、二次滲碳體
B、共析滲碳體
C、一次滲碳體
D、共晶滲碳體
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A、加強(qiáng)溫度低于Ac3
B、加熱溫度高于AC3
C、保溫時(shí)間過(guò)長(zhǎng)
D、冷卻速度大于VK
A、是位錯(cuò)馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過(guò)飽和的a固溶體
D、具有高的強(qiáng)度
A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內(nèi)偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網(wǎng)狀滲碳體
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
A、形成了高密度位錯(cuò)
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類(lèi)型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
A、正火
B、調(diào)質(zhì)
C、退火
D、淬火+中溫回火
A、淬火+低溫回火
B、調(diào)質(zhì)+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱(chēng)()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
硅片拋光在原理上不可分為()