A、是位錯馬氏體
B、是孿晶馬氏體
C、是過飽和的a固溶體
D、具有高的強度
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A、珠光體
B、馬氏體
C、回火屈氏體
D、回火索氏體
A、晶內偏析
B、纖維組織
C、晶粒粗大
D、網狀滲碳體
A、珠光體
B、鐵素體
C、滲碳體
D、馬氏體
A、從鋼液中析出的
B、從奧氏體中析出的
C、從鐵素中析出的
D、從馬氏體中析出的
A、形成了高密度位錯
B、晶格發(fā)生畸變
C、晶格類型發(fā)生改變
D、析出亞穩(wěn)定第二相粒子
A、正火
B、調質
C、退火
D、淬火+中溫回火
A、淬火+低溫回火
B、調質+表面淬火
C、滲碳+淬火+低溫回火
D、淬火+中溫回火
A、M+K
B、P+F
C、B下
D、M+P
A、淬火+低溫回火
B、滲碳+淬火+低溫回火
C、淬火+中溫回火
D、氮化+淬火+低溫回火
A、F+Fe3CIII
B、F+P
C、P+Fe3CII
D、P+Fe3CIII
最新試題
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。
一塊半導體壽命τ=15µs,光照在材料中會產生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
下列哪個不是單晶常用的晶向()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
多晶硅的生產方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()