直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）