A、粉體制備
B、原料的破碎
C、成型
D、高溫?zé)崽幚?/p>
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性
A、日用瓷
B、建筑瓷
C、硅酸鹽陶瓷
D、結(jié)構(gòu)陶瓷
A、硼酸鹽玻璃
B、硅酸鹽玻璃
C、金屬玻璃
D、硒玻璃
A、水硬性膠凝材料
B、非水硬性膠凝材料
C、氣硬性膠凝材料
D、水泥
A、原料的破碎
B、粉體制備
C、烘干
D、高溫?zé)崽幚?/p>
A、金屬材料
B、功能材料
C、有機(jī)高分子材料
D、復(fù)合材料
最新試題
PN結(jié)的基本特性是()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。