A、干法中空窯
B、立波爾窯
C、窯外分解窯
D、立筒預(yù)熱器窯
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A、濕法
B、干法
C、半干法
D、半濕法
A、兩磨一燒
B、一磨兩燒
C、兩磨兩燒
D、三磨一燒
A、硬度
B、強(qiáng)度
C、韌性
D、脆性
A、日用瓷
B、建筑瓷
C、硅酸鹽陶瓷
D、結(jié)構(gòu)陶瓷
A、硼酸鹽玻璃
B、硅酸鹽玻璃
C、金屬玻璃
D、硒玻璃
A、水硬性膠凝材料
B、非水硬性膠凝材料
C、氣硬性膠凝材料
D、水泥
A、原料的破碎
B、粉體制備
C、烘干
D、高溫?zé)崽幚?/p>
A、金屬材料
B、功能材料
C、有機(jī)高分子材料
D、復(fù)合材料
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
可用作硅片的研磨材料是（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。