A、鎂質(zhì)原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
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A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
A、長(zhǎng)石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
A、降低陶瓷產(chǎn)品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長(zhǎng)大
C、提高產(chǎn)品的機(jī)械強(qiáng)度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結(jié)構(gòu)中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
最新試題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()