A、方石英
B、白云石
C、菱鎂礦
D、方解石
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你可能感興趣的試題
A、方解石
B、赤鐵礦
C、石膏
D、菱鎂礦
A、3.0%
B、4.0%
C、2.0%
D、1.0%
A、3.7-4.1
B、2.9-4.0
C、2.7-3.1
D、2.5-3.0
A、方石英
B、單斜石英
C、石英
D、鱗石英
A、降低熱膨脹系數(shù)
B、提高熱穩(wěn)定性
C、提高機(jī)械強(qiáng)度
D、補(bǔ)償坯體收縮作用
A、反應(yīng)劑
B、助熔劑
C、穩(wěn)定劑
D、澄清劑
A、方解石
B、泥灰?guī)r
C、白泥
D、白堊
A、石灰石
B、方解石
C、泥灰?guī)r
D、白堊
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
A、CaCO3
B、CaO
C、SiO2
D、Al2O3
最新試題
下列是晶體的是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()