A、α-C2S
B、C3A
C、β-C2S
D、γ-C2S
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A、融化
B、熔劑
C、溶質
D、熔制
A、鎂質原料
B、氧化鋰
C、硝酸鈉
D、氫氧化鈉
A、SiO2
B、CaO
C、Al2O3
D、MgO
A、長石類原料
B、氧化鋰類原料
C、純堿
D、芒硝
A、降低陶瓷產品的燒成溫度
B、抑制莫來石晶體的形成和長大
C、提高產品的機械強度
D、提高介電性能
A、能提供游離氧使玻璃結構中的O/Si比值增加
B、降低玻璃黏度
C、是良好的助熔劑
D、降低玻璃的熱膨脹系數(shù)
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>25%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>30%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.3%
B、Al2O3>16%,F(xiàn)e2O3<0.4%
C、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.4%
D、Al2O3>20%,F(xiàn)e2O3<0.3%
A、BaCO3·MgCO3
B、BaCO3·Al2O3
C、3MgO·4SiO2·H2O
D、Al2O3·10H2O
最新試題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
硅片拋光在原理上不可分為()
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
在通常情況下,GaN呈()型結構。
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()