A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
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A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
A、熟料
B、石膏
C、混合材
D、石灰石
A、立窯熟料
B、濕法回轉(zhuǎn)窯熟料
C、干法回轉(zhuǎn)窯熟料
D、回轉(zhuǎn)要熟料+礦渣
A、干燥帶
B、預(yù)熱帶
C、放熱反應(yīng)帶
D、燒成帶
A、800℃
B、1250℃
C、1600℃
D、2000℃
A、水泥
B、玻璃
C、陶瓷
D、耐火材料
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
A、水泥強(qiáng)度性能
B、水泥體積安定性
C、凝結(jié)時間
D、抗侵蝕性能。
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。