A、干燥帶
B、預(yù)熱帶
C、放熱反應(yīng)帶
D、燒成帶
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A、800℃
B、1250℃
C、1600℃
D、2000℃
A、水泥
B、玻璃
C、陶瓷
D、耐火材料
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
A、水泥強(qiáng)度性能
B、水泥體積安定性
C、凝結(jié)時(shí)間
D、抗侵蝕性能。
A、水泥
B、玻璃
C、陶瓷
D、耐火材料
A、C-S-H凝膠
B、鋁酸鈣
C、鈣礬石
D、其它
A、1天
B、3天
C、7天
D、28天
A.共頂方式
B.共棱方式
C.共面方式
D.其它
A、加熱
B、加壓
C、保溫
D、冷卻
A、溫度制度
B、氣氛的影響
C、液面制度
D、配合料
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
可用作硅片的研磨材料是()
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
PN結(jié)的基本特性是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()