A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
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A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
A、溫度和反應(yīng)時(shí)間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
A、熟料
B、石膏
C、混合材
D、石灰石
A、立窯熟料
B、濕法回轉(zhuǎn)窯熟料
C、干法回轉(zhuǎn)窯熟料
D、回轉(zhuǎn)要熟料+礦渣
最新試題
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()