A、15%-30%
B、20%―50%
C、40%―60%
D、50%―70%
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A、石灰石
B、煤
C、粘土
D、鐵粉
A、粘土
B、高嶺石
C、蒙脫石
D、以上全是
A、800℃
B、850℃
C、900℃
D、950℃
A、分解帶
B、放熱反應(yīng)帶
C、燒成帶
D、預(yù)熱帶
A、溫度和反應(yīng)時間
B、生料的細(xì)度及均勻性
C、原料的性質(zhì)
D、燒成設(shè)備
A、回轉(zhuǎn)窯
B、立窯
C、隧道窯
D、立波爾窯
A、煅燒
B、燒成
C、熔化
D、燒結(jié)
A、化學(xué)結(jié)合水
B、物理化學(xué)結(jié)合水
C、機(jī)械結(jié)合水
D、物理結(jié)合水
A、3.5%
B、5.5%
C、7.5%
D、10%
A、30℃
B、300℃
C、1200℃
D、1350℃
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動產(chǎn)生()電流。
PN結(jié)的基本特性是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列是晶體的是()。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()