A、r/D<86%時,用K=1的探頭
B、r/D≤96%時,用K=2的探頭
C、r/D≤97.5%時,用K=2.5的探頭
D、以上都對
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A、CL:CS:CR≈1.8:2.0:1
B、CL:CS:CR≈1:1:1
C、CL:CS:CR≈1.8:1.0:0.9
D、CL:CS:CR≈1:2.0:4
A、1/2倍
B、1/4倍
C、2倍
D、4倍
A、第三臨界角
B、第一臨界角
C、第二臨界角
D、半擴散角
A、第二臨界角
B、第一臨界角
C、第三臨界角
D、以上都不對
A、橫波波全反射
B、縱波波全反射
C、表面波全反射
D、以上都不對
A、防止產(chǎn)生雜波
B、使脈沖變窄
C、使盲區(qū)變小
D、以上都是
A、波長短
B、聲束窄
C、能量集中
D、以上都對
A、探測深度大
B、檢測速度快
C、費用低
D、以上都對
A、24°
B、27°
C、37°
D、48°
A、減小
B、增大
C、不變
D、既可增大又可減小
最新試題
渦流檢測線圈是在被檢測導電材料或零件表面及近表面激勵產(chǎn)生()
對于長條形試件,則常沿()作平行縱軸的直線式掃查。
用于測量黑光強度的現(xiàn)代黑光輻射照度計,其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測量黑光。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動,即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
()件對不同類型的檢測對象和要求,采用的方式各有不同。
根據(jù)檢測對象和目的的不同,渦流檢測儀器一般可分為()、渦流電導儀和渦流測厚儀三種。
渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號的同時具備探傷、電導率測量()測量功能的通用型儀器。
磁性測厚技術(shù)包括機械式和()兩種測量方法。
對檢測儀的時間基線進行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。