A、質(zhì)量數(shù)相同,中子數(shù)不同的元素
B、質(zhì)量數(shù)不同,中子數(shù)相同的元素
C、質(zhì)子數(shù)相同,中子數(shù)不同的元素
D、中子數(shù)相同,質(zhì)子數(shù)不同的元素
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A、電子
B、中子
C、質(zhì)子
D、原子
A、64%
B、36%
C、20%
D、80%
A、抑制劑
B、顯影劑
C、加速劑
D、保護(hù)劑
A、亞硫酸鈉
B、溴化鉀
C、菲尼酮
D、碳酸鈉
A、加速顯影作用
B、保護(hù)顯影作用
C、抑制灰霧生成
D、堅膜作用
A、感光度
B、管電流
C、膠片反差系數(shù)
D、以上都對
A、25
B、12.5
C、6.25
D、3.125
A、1/3
B、1/4
C、1/2
D、3/4
A、射線源尺寸
B、射線源到膠片距離
C、X射線能量
D、X射線強(qiáng)度
A、產(chǎn)生射線照相底片對比度低
B、不可能檢出大缺陷
C、產(chǎn)生射線照相底片不清晰
D、產(chǎn)生發(fā)灰的射線照片
最新試題
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測輔助裝置的試樣傳動裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
對于圓盤形試件,常沿()在圓面上進(jìn)行掃查。
用于測量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計,其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測量黑光。
渦流檢測中的對比試樣的()和材質(zhì)相對被檢測產(chǎn)品必須具有代表性。
對檢測儀的時間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇,則回波()
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時,移動探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()